Opis:

Szybko nagrzewający się, energooszczędny, programowany piec komorowy z rurą kwarcową do wielu zastosowań:

LPCVD, MOCVD: Si3N4, poli Si, epitaksja Si, TEOS, LTO, p/n-domieszkowanie Si
Nanorurki węglowe, nanodruty Si, grafen
Dyfuzja ze źródła gazowego/stałego
Utlenianie mokre/suche
Stopy SiAl/SiAu/SiMo
Wyżarzanie w atmosferze azotu, argonu, wodoru, wysokiej próżni
Wygrzewanie po implantacji, utwardzanie/spiekanie poliimidów
Wypalanie LTCC, wypalanie pasty grubowarstwowej, itd.

– Załadowanie pieca w temperaturze pokojowej – nagrzewanie – przeprowadzanie procesu – aktywne chłodzenie.
– Szybkie nagrzewanie do max. 100°C/min (partia) lub 20°C /s (pojedyncza płytka krzemowa).
– Szybkie chłodzenie: od 1000°C do poniżej 100°C w czasie poniżej 60 minut.
– Maksymalna temperatura w piecu 1150° C.
– Możliwa praca w różnych atmosferach gazowych (również w czystym wodorze), tlen poniżej 1ppm, próżnia do 5 x 10-6 mbar.
– Dla płytek krzemowych do 200 mm i podłoży o równoważnym wymiarze.